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1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
關(guān)鍵詞：
CVD
雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
銷售熱線：
- 產(chǎn)品描述
- 技術(shù)參數(shù)
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- 商品名稱: 1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
- 商品編號: 1034429773968662528
產(chǎn)品用途：此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。
銷售熱線：15122725930
產(chǎn)品用途：
此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。
產(chǎn)品組成：
此款CVD系統(tǒng)配置：
1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。
2.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
3.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）
產(chǎn)品特點：
1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。
2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司設(shè)計,提高操作便捷性。
3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵
防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。
系統(tǒng)名稱
1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
系統(tǒng)型號
CVD-12II-3Z/G
CVD-12II6-3Z/G
最高溫度
1200℃
加熱區(qū)長度
420mm
600mm
恒溫區(qū)長度
280mm
390mm
溫區(qū)
雙溫區(qū)
雙溫區(qū)
石英管管徑
Φ50/Φ60/Φ80mm
Φ80/Φ100mm
額定功率
3.2Kw
4.8Kw
額定電壓
220V
溫度控制
國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫；
控制精度
±1℃
爐管最高工作溫度
＜1200℃
氣路法蘭
密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù)，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在第一次使用設(shè)備的時候安裝
氣體控制方式
質(zhì)量流量計
氣路數(shù)量
3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量）
流量范圍
0-500sccm(標(biāo)準毫升/分，可選配）氮氣標(biāo)定
精度
±1%F.S
響應(yīng)時間
≤4sec
工作溫度
5-45℃
工作壓力
進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力）
系統(tǒng)連接方式
采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數(shù)顯真空測量儀
規(guī)格
高真空
系統(tǒng)真空范圍
1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵
真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW
真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW
爐體外形尺寸
340×580×555mm
480×770×605mm
系統(tǒng)外形尺寸
530x1440x750mm(不含高真空)
系統(tǒng)總重量
330kg
關(guān)鍵詞:- CVD
- 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
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